Лозовой Кирилл Александрович

Научные основы технологии инфракрасных детекторов MWIR и LWIR диапазонов с пониженными темновыми токами на основе униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками

Исследование компонентов и программно-аппаратных комплексов систем квантовой коммуникации и квантовых компьютеров

Спектроскопия атмосферных соединений с использованием терагерцовой спектроскопии высокого разрешения и искусственного интеллекта (SACHA: Spectroscopy of Atmospheric Compounds combining Highresolution terahertz & Artificial intelligence).

Физико-технологические основы синтеза бездефектного силицена и германена методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Разработка способа получения 2D-материалов для высокоэффективных солнечных элементов

Физические основы использования низкоразмерных полупроводниковых структур в квантовых информационных системах

Разработка физико-математических моделей эпитаксиального формирования 2D-кристаллов силицена и германена для наноэлектроники и нанофотоники

Физико-технологические основы создания униполярных барьерных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для инфракрасных детекторов с пониженными темновыми токами

Двумерные и нульмерные структуры на основе кремния и элементов IV группы для быстродействующих транзисторов нового поколения

Разработка физических основ функционирования и создание гибридных органо-неорганических систем для фотопреобразователей и солнечных элементов видимого и инфракрасного диапазонов

Комплексное изучение свойств фоточувствительных и светоизлучающих структур нового поколения на базе наноструктур полупроводниковых соединений A2B6, А3В6 и A4B4

Физико-технологические основы создания различных типов фоточувствительных структур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 и фотоприёмников на их основе

ЗАДАНИЕ на выполнение работы «Обеспечение проведения научных исследований» № 3.8177.2017/ИТР

Разработка высокочувствительных элементов оптических систем различного назначения на основе поверхностно-барьерных наноструктур из варизонного HgCdTe, выращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках

Разработка физических основ получения, модификации и исследование оптических и электрофизических характеристик различных наноматериалов и наноструктур на основе полупроводниковых соединений A2B6, A4B4, A3B5 с квантовыми ямами, квантовыми точками и другими нановключениями

Информационно-программное обеспечение оперативной дистанционной диагностики высокотемпературных газово-аэрозольных сред оптико-физическими методами

Обеспечение проведения научных исследований

Физические основы создания фотопреобразователей солнечной и тепловой энергии на основе наногетероструктур с встроенными многослойными оптическими элементами и с расширенной в ИК область спектральной характеристикой чувствительности