Лозовой Кирилл Александрович
Участие в конференциях
Общее число докладов - 94
1) Кремний-2024. XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Режимы эпитаксиального выращивания кремния и германия на графите |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 15.07.2024 - 20.07.2024 |
2) Кремний-2024. XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии |
Тип доклада | секционный |
Дата участия | 15.07.2024 - 20.07.2024 |
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100] |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Ge/Si avalanche photodiodes dark current |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
7) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001) |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
9) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Analysis of homoepitaxial growth of Si on Si(100) in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 23.05.2023 - 26.05.2023 |
10) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 23.05.2023 - 26.05.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 84
Публикации в рамках конференций
1 | Коханенко А.П., Диб Х., Лозовой К.А., Коротаев А.Г. Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 332‒333. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-332 |
|
|
2 | К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко. Режимы эпитаксиального выращивания кремния и германия на графите // Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», Иркутск, 15–20 июля 2024 г. Иркутск: Изд-во Ин-та географии им. В.Б.Сочавы СО РАН, 2024. С. 44. |
|
|
3 | Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.Г. Коротаев, К.А. Лозовой [и др.] // Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», Иркутск, 15–20 июля 2024 г. Иркутск: Изд-во Ин-та географии им. В.Б.Сочавы СО РАН, 2024. С. 100. |
|
|
4 | Лозовой К.А., Дирко В.В., Кукенов О.И., Коханенко А.П. Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111) // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 288‒289. |
|
|
5 | Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001) / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов, К.А. Лозовой [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 104. DOI: 10.34077/RCSP2023-104 |
|
|
6 | Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 109. DOI: 10.34077/RCSP2023-109 |
|
|
7 | Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100] / А.С. Соколов, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 293‒294. |
|
|
8 | Ge/Si avalanche photodiodes dark current / Khomyakova K.I., Douhan R.M.H., Deeb Hazem, Kokhanenko А.Р. [et al] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. P. 301. |
|
|
9 | K.I. Khomyakova, H. Deeb, K A Lozovoy, A.P. Kokhanenko. Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 135‒136. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023). |
|
|
10 | Analysis of homoepitaxial growth of Si on Si(100) in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction / O.I. Kukenov, A.S. Sokolov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoj [et al] // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 265‒266. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023). |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность