Лозовой Кирилл Александрович

Участие в конференциях
Общее число докладов - 92
1) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]
Тип доклада устный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
3) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Ge/Si avalanche photodiodes dark current
Тип доклада устный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
4) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001)
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
5) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
6) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции Международный
Тема доклада Analysis of homoepitaxial growth of Si on Si(100) in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction
Тип доклада постер
Дата участия 23.05.2023 - 26.05.2023
7) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции Международный
Тема доклада Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si
Тип доклада постер
Дата участия 23.05.2023 - 26.05.2023
8) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции Международный
Тема доклада Effect of temperature during homoepitaxial growth of Si on Si(100) on the character of reflection high-energy electron diffraction patterns
Тип доклада постер
Дата участия 23.05.2023 - 26.05.2023
9) Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Уровень конференции Международный
Тема доклада Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si
Тип доклада постер
Дата участия 23.05.2023 - 26.05.2023
10) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)
Тип доклада секционный
Дата участия 01.02.2023 - 03.02.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 81
Публикации в рамках конференций
1 Лозовой К.А., Дирко В.В., Кукенов О.И., Коханенко А.П. Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111) // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 288‒289.
2 Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001) / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов, К.А. Лозовой [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 104. DOI: 10.34077/RCSP2023-104
3 Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 109. DOI: 10.34077/RCSP2023-109
4 Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100] / А.С. Соколов, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 293‒294.
5 Ge/Si avalanche photodiodes dark current / Khomyakova K.I., Douhan R.M.H., Deeb Hazem, Kokhanenko А.Р. [et al] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. P. 301.
6 K.I. Khomyakova, H. Deeb, K A Lozovoy, A.P. Kokhanenko. Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 135‒136. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023).
7 Analysis of homoepitaxial growth of Si on Si(100) in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction / O.I. Kukenov, A.S. Sokolov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoj [et al] // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 265‒266. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023).
8 Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
9 Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287
10 Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову / Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Кукенов О.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 907.