Лозовой Кирилл Александрович

Публикации

Общее число записей - 154
1 RHEED Study of the Epitaxial Growth of Silicon and Germanium on Highly Oriented Pyrolytic Graphite / K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, O.I. Kukenov, M.S. Snegerev [et al] // C-Journal of Carbon Research. 2024. Vol. 10, № 2. Art. num. 36. DOI: 10.3390/c10020036
2 Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers / H. Deeb, K. Khomyakova, A. Kokhanenko, R. Douhan [et al] // Advanced Inorganic Semiconductor Materials. Basel, Switzerland: MDPI, 2024. P. 51‒65.
3 Two-Photon-Excited FLIM of NAD(P)H and FAD–Metabolic Activity of Fibroblasts for the Diagnostics of Osteoimplant Survival / T.B. Lepekhina, V.V. Nikolaev, H. Zuhayri, M.S. Snegerev [et al] // International Journal of Molecular Sciences. 2024. Vol. 25, № 4. Art. num. 2257. DOI: 10.3390/ijms25042257
4 Recent Advances in Si-Compatible Nanostructured Photodetectors / R. Douhan, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, H. Deeb [et al] // Technologies. 2023. Vol. 11, № 1. Art. num. 17. DOI: 10.3390/ technologies11010017
5 Effect of temperature during homoepitaxial growth of Si on Si(100) on the character of reflection high-energy electron diffraction patterns / O.I. Kukenov, A.S. Sokolov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy [et al] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2023. Vol. 16, № 3.1. P. 112‒116. DOI: 10.18721/JPM.163.120
6 Khomyakova K.I., Deeb H., Lozovoy K.А., Kokhanenko A.P. Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16, № 3.1. P. 232‒236. DOI: 10.18721/JPM.163.141
7 Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
8 Silicon-Based Avalanche Photodiodes: Advancements and Applications in Medical Imaging / K.A. Lozovoy, R.M.H. Douhan, V.V. Dirko, H. Deeb [et al] // Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 23. Art. num. 3078. DOI: 10.3390/nano13233078
9 Analysis of homoepitaxial growth of Si on Si(100) in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction / O.I. Kukenov, A.S. Sokolov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoj [et al] // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 265‒266. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023).
10 K.I. Khomyakova, H. Deeb, K A Lozovoy, A.P. Kokhanenko. Modeling of avalanche photodiodes based on Ge/Si // Saint Petersburg OPEN 2023. 10th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: HSE University – St. Petersburg, 2023. P. 135‒136. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 20.11.2023).
11 Ge/Si avalanche photodiodes dark current / Khomyakova K.I., Douhan R.M.H., Deeb Hazem, Kokhanenko А.Р. [et al] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. P. 301.
12 Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100] / А.С. Соколов, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 293‒294.
13 Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками / сост.: Лозовой К.А., Коханенко А.П., Духан Р., Коротаев А.Г. Томск: Изд-во ТГУ, 2023. 38 с.
14 Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии : учебно-методическое пособие / сост.: В.В. Дирко, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2023. 51 с.
15 Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 109. DOI: 10.34077/RCSP2023-109
16 Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001) / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов, К.А. Лозовой [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 104. DOI: 10.34077/RCSP2023-104
17 Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2−5 мая 2023 г. / рец.: Коротаев А.Г., Каширский Д.Е., Торгаев С.Н., Лозовой К.А. Томск: STT, 2023. 173 с.
18 Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования. / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80‒90. DOI: 10.17223/00213411/66/8/10
19 Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers / H. Deeb, K. Khomyakova, A. Kokhanenko, R. Douhan [et al] // Inorganics. 2023. Vol. 11, № 7. Art. num. 303. URL: https://www.mdpi.com/2304-6740/11/7/303.
20 Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41‒50. DOI: 10.17223/00213411/66/7/5