ТГУ.Сотрудники

Лозовой Кирилл Александрович

Публикации

Общее число записей - 173
1 Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 3. С. 5‒15. DOI: 10.17223/00213411/68/3/1
2 Infrared photoresponse of GeSiSn p–i–n photodiodes based on quantum dots, quantum wells, pseudomorphic and relaxed layers / K.A. Lozovoy, V.A. Timofeev, I.V. Skvortsov, V.I. Mashanov [et al] // Nanotechnology. 2025. Vol. 36, № 13. Art. num. 135201. DOI: 10.1088/1361-6528/ada9a6
3 Ворсин О.И., Дирко В.В., Лозовой К.А. Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 55.
4 Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A P Kokhanenko [et al] // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17, № 3.2. P. 139‒142. DOI: 10.18721/JPM.173.227
5 Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of two-dimensional germanium layers and quantum dots on silicon / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, A.S. Sokolov, K.A. Lozovoy [et al] // Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91, № 6. P. 416‒420. DOI: 10.1364/JOT.91.000416
6 1x2 and 2x1 superstructures changes during the growth of Ge on Si(100) / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko [et al] // 11 th International School and Conference “Saint Petersburg OPEN 2024” on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures : book of abstracts. St Petersburg: National Research University "Higher School of Economics", 2024. Art. num. 5-24. URL: https://spb.hse.ru/spbopen/abstracts (date of access: 17.05.2024).
7 Kukenov O., Dirko V., Lozovoy K., Kokhanenko А. Influence on the growth of germanium of temperature on silicon // Proceedings of 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects. EFRE-2024 : congress proceedings. Tomsk: TPU Publishing House, 2024. P. 1405‒1407. DOI: 10.56761/EFRE2024.N1-P-017001
8 Kukenov O.I., Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P. Growth of Two-Dimensional Layers on Graphite Substrates // Proceedings of 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects. EFRE-2024 : congress proceedings. Tomsk: TPU Publishing House, 2024. P. 1584‒1586. DOI: 10.56761/EFRE2024.N3-P-017002
9 Kukenov O.I., Dirko V.V., Lozovoy K.А., Kokhanenko A.P. Influence on the Growth of Germanium of Temperature on Silicon // 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024) : abstracts. Novosibirsk: Academizdat Publishing, 2024. P. 555.
10 Kukenov O.I., Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P. Growth of Two-Dimensional Layers on Graphite Substrates // 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024) : abstracts. Novosibirsk: Academizdat Publishing, 2024. P. 625.
11 Лозовой К.А., Дирко В.В., Кукенов О., Коханенко А.П. Двумерные фазы кремния и германия на высокоориентированном пиролитическом графите // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 287.
12 Lozovoy K.A. Application of Nanostructures in Biology and Medicine // International Journal of Molecular Sciences. 2024. Vol. 25, № 18. Art. num. 9931. DOI: 10.3390/ijms25189931
13 Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si с массивом наноотверстий для атмосферного канала связи / Х. Диб, К.И. Швалева, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 4. С. 39‒45. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-4-39-45
14 Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.Г. Коротаев, К.А. Лозовой [и др.] // Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», Иркутск, 15–20 июля 2024 г. Иркутск: Изд-во Ин-та географии им. В.Б.Сочавы СО РАН, 2024. С. 100.
15 Влияние смены механизма роста на синтез двумерных слоёв и квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.С. Соколов, К.А. Лозовой [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 6. С. 99‒107. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-06-99-107
16 Коханенко А.П., Диб Х., Лозовой К.А., Коротаев А.Г. Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 332‒333. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-332
17 Диб Х., Лозовой К.А., Коханенко А.П. Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 2. С. 5‒13. DOI: 10.17223/00213411/67/2/1
18 Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy [et al] // Nanotechnologies and Nanomaterials : Selected Papers from CCMR. Vol. 2. Basel: MDPI, 2024. P. 319‒339.
19 RHEED Study of the Epitaxial Growth of Silicon and Germanium on Highly Oriented Pyrolytic Graphite / K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, O.I. Kukenov, M.S. Snegerev [et al] // C-Journal of Carbon Research. 2024. Vol. 10, № 2. Art. num. 36. DOI: 10.3390/c10020036
20 Dependence of Ge/Si Avalanche Photodiode Performance on the Thickness and Doping Concentration of the Multiplication and Absorption Layers / H. Deeb, K. Khomyakova, A. Kokhanenko, R. Douhan [et al] // Advanced Inorganic Semiconductor Materials. Basel, Switzerland: MDPI, 2024. P. 51‒65.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность