Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот

Авторы	автор Воеводин В. И. (Аспирант), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник)
Тип	Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год	2021
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	Воеводин В.И., Саркисов С.Ю. Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 156‒158.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность