Саркисов Сергей Юрьевич

Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации

Изготовление и передача Заказчику нелинейно-оптического элемента на основе монокристаллического селенида галлия ( GaSe ) с просветляющими покрытиями.

Спектроскопия атмосферных соединений с использованием терагерцовой спектроскопии высокого разрешения и искусственного интеллекта (SACHA: Spectroscopy of Atmospheric Compounds combining Highresolution terahertz & Artificial intelligence).

Исследование фоточувствительности и оптического контраста нанослоев GaS на подложках из кремния.

Исследование временной стабильности нанослоев GaTe

Исследование фоточувствительности нанослоев GaTe

Физико-технологические основы сенсоров электромагнитного излучения от видимого до радиоволнового диапазона частот

Исследование спектров комбинационного рассеяния и фоточувствительности нанослоев InSe

Изготовление и поставка нелинейно-оптического элемента из монокристалла GaSe (z-срез), чистая апертура диаметром 30 мм, толщина 40 мм в алюминевом держателе диаметром 130 мм, в количестве 1шт.

Изготовление и поставка продукции: нелинейно-оптического элемента из монокристалла GaSe (z-срез), чистая апертура диаметром 14 мм, толщина 7 мм в алюминевом держателе диаметром 40 мм, в количестве 1шт.; нелинейно-оптического элемента из монокристалла GaSe (z-срез), чистая апертура диаметром 14 мм, толщина 7 мм в алюминевом держателе диаметром 45 мм, в количестве 2шт.

Экспериментальное и теоретическое исследование условий получения, электронных и оптических свойств нанослойных структур соединений InSe и GaSe.

Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов

Разработка технологии выращивания нелинейно-оптических кристаллов CdSiP2 и их применение для генерации широкополосного ИК-излучения

Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Изготовление и поставка нелинейно-оптического элемента из монокристалла GaSe (z-срез), чистая апертура диаметром 14 мм, толщина 7 мм в алюминевом держателе диаметром 45 мм.

Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади

Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники

Разработка физико-технологических основ создания оптических гетероструктур, полупроводниковых наноразмерных пленок и объемных структур оксидов и халькогенидов галлия, и исследование процессов преобразования частоты, фотогальванических и электрооптических эффектов при взаимодействии с излучением оптического и терагерцового диапазонов

Разработка технологии получения легированных кристаллов GaSe для генераторов терагерцового и инфракрасного излучения

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Радиационно-стойкие светодиоды AlGaInP с множественными квантовыми ямами

Разработка и исследование элементов световыводящей оптики, созданных на стадии эпитаксиального роста светодиодных гетероструктур

Разработка технологии получения нелинейно-оптических кристаллов для генерации террагерцевого излучения

Применение терагерцовой эмиссионной спектроскопии для исследования электрофизических свойств многослойных гетероструктур на основе AlGaN/InGaN/GaN

Разработка технологии получения нелинейно-оптических кристаллов для электрооптических детекторов терагерцевого излучения

Исследование процессов генерации терагерцового излучения при оптическом возбуждении полупроводников, модифицированных путем легирования и радиационного облучения

Научный проект «Узко- и широкополосные генерация и детектирование терагерцового излучения в кристаллах GaSe и твердых растворах GaSe0,71S0,29» для представления на научном мероприятии «37th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves»

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Создание и исследование сложных полупроводниковых структур для целей сенсорики и оптоэлектроники