ТГУ.Сотрудники
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23)
| Авторы | автор Войцеховский А. В., автор Несмелов С. Н., автор Дзядух С. М., автор Васильев В. В., автор Варавин В. С., автор Дворецкий С. А., автор Михайлов Н. Н., автор Сидоров Ю. Г., автор Якушев М. В. |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2012 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23) //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность