Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год	2018
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность