Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Авторы автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Сыворотка И. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2018
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 705.
Направление науки
УДК