Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2018
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С. [и др.] // Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22‒26.
Направление науки
УДК 621.315.592