ТГУ.Сотрудники
Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich. Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 735-736. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность