Алмаев Алексей Викторович

Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации

Развитие инновационных технологий радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц

Выполнение работ по напылению опытной серии образцов тонких пленок Ti/Au/Ti на сапфировых подложках

Газовые сенсоры на основе полиморфных структур оксида галлия

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Лицензионный договор о предоставлении права использования ноу-хау "Способ изготовления металлизации многоэлементных арсенид галлиевых сенсоров ионизирующего излучения пригодной для последующего формирования объемных выводов на основе индия и низкотемпературного монтажа методом «флип-чип»"

Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии

Исследование газовой чувствительности оксида галлия

GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения

Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов

Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади

Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники

Разработка физико-технологических основ создания оптических гетероструктур, полупроводниковых наноразмерных пленок и объемных структур оксидов и халькогенидов галлия, и исследование процессов преобразования частоты, фотогальванических и электрооптических эффектов при взаимодействии с излучением оптического и терагерцового диапазонов