Лозинская Анастасия Дмитриевна

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), пластин GaAs: Cr толщиной 500 мкм, диаметром 76 мм.

Разработка, изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Разработка, изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокристаллического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Разработка, изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Проведение лабораторных исследований спектров поглощения модельных сред

Изготовление одной партии S-диодов (пластина 40 мм)

Изготовление и поставка пластин монокристаллического арсенида галлия, компенсированного хромом, с двухсторонней полировкой

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Изготовление и поставка матричных сенсоров с шагом пикселей 130 мкм, на основе GaAs:Cr с толщиной 1000 мкм

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии

Комптоновская рентгеновская микроскопия биологических объектов

GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения

Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади

Разработка арсенид галлиевых сенсоров для матричных рентгеновских детекторов, использующихся в цифровой маммографии и макромолекулярной кристаллографии

Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники