ТГУ.Сотрудники
Олейник Владимир Леонидович
Участие в научных проектах
Общее число записей - 15
Повышение эффективности сверхбыстрых лавинных S-диодов на основе GaAs
13.01.2023 — 31.12.2024
| Название программы | Грант РНФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации
01.07.2022 — 31.12.2024
| Название программы | Грант Правительства РФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Развитие инновационных технологий радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц
29.03.2022 — 31.12.2023
| Название программы | Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Программа по содействию занятости выпускников 2020 года на научно-исследовательские позиции
01.09.2020 — 31.12.2021
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Газовые сенсоры на основе полиморфных структур оксида галлия
20.07.2020 — 30.06.2025
| Название программы | Грант РНФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Перезарядка глубоких уровней в условиях электронной инжекции и лавинного пробоя в сверхбыстрых переключателях на основе арсенида галлия
20.02.2020 — 31.12.2022
| Название программы | Грант РФФИ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии
19.03.2018 — 31.12.2020
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения
26.09.2017 — 30.06.2020
| Название программы | ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» |
| Роль в проекте | Исполнитель |
GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения
14.04.2017 — 31.12.2017
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов
01.01.2017 — 31.12.2019
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом
16.02.2016 — 31.12.2022
| Роль в проекте | Исполнитель |
Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади
01.01.2015 — 31.12.2016
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники
01.01.2014 — 31.12.2014
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Квантово-размерная светодиодная гетероструктура InGaN/GaN/Al2O3 видимого диапазона длин волн со ступенчато-варизонными барьерными слоями и с короткопериодными сверхрешетками
17.07.2014 — 31.12.2016
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Исследование влияния транспорта неравновесных носителей заряда на интегральную интенсивность фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN/InGaN
01.01.2014 — 31.12.2015
| Название программы | Грант РФФИ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность