Прудаев Илья Анатольевич

Повышение эффективности сверхбыстрых лавинных S-диодов на основе GaAs

Лицензионный договор на предоставление исключительного права использования Полезной модели «Устройство импульсного электрического питания полупроводникового лазера»

Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации

Разработка, конструирование, изготовление и поставка опытных образцов высоковольтных фотопроводящих полупроводниковых ключей на основе GaAs

Развитие инновационных технологий радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц

Сверхбыстрая коммутация в нелинейных фотоэлектрических ключах из арсенида галлия, легированного глубокой акцепторной примесью хрома

Перезарядка глубоких уровней в условиях электронной инжекции и лавинного пробоя в сверхбыстрых переключателях на основе арсенида галлия

Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии

GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения

Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов

Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади

Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники

Разработка физико-технологических основ создания оптических гетероструктур, полупроводниковых наноразмерных пленок и объемных структур оксидов и халькогенидов галлия, и исследование процессов преобразования частоты, фотогальванических и электрооптических эффектов при взаимодействии с излучением оптического и терагерцового диапазонов

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Радиационно-стойкие светодиоды AlGaInP с множественными квантовыми ямами

Разработка и исследование элементов световыводящей оптики, созданных на стадии эпитаксиального роста светодиодных гетероструктур

Применение терагерцовой эмиссионной спектроскопии для исследования электрофизических свойств многослойных гетероструктур на основе AlGaN/InGaN/GaN

Многоэлементный приемник излучения, работающий в широком спектральном диапазоне (ближний ИК, видимый, УФ) и позволяющий производить электронную обработку получаемого изображения

Исследование механизмов протекания тока в светодиодах на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN

Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров

Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей

Создание и исследование сложных полупроводниковых структур для целей сенсорики и оптоэлектроники

Квантоворазмерные многослойные эпитаксиальные структуры GaN(AlGaN)/InGaN/GaN для излучателей оптического диапазона