Прудаев Илья Анатольевич

Участие в научных проектах
Общее число записей - 25
Повышение эффективности сверхбыстрых лавинных S-диодов на основе GaAs
13.01.2023 — 31.12.2024
Название программы Грант РНФ
Роль в проекте Руководитель
Лицензионный договор на предоставление исключительного права использования Полезной модели «Устройство импульсного электрического питания полупроводникового лазера»
30.05.2022 — 30.05.2029
Роль в проекте Руководитель
Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации
01.07.2022 — 31.12.2024
Название программы Грант Правительства РФ
Роль в проекте Исполнитель
Разработка, конструирование, изготовление и поставка опытных образцов высоковольтных фотопроводящих полупроводниковых ключей на основе GaAs
06.06.2022 — 31.12.2022
Роль в проекте Руководитель
Развитие инновационных технологий радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц
29.03.2022 — 31.12.2023
Название программы Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030»
Роль в проекте Исполнитель
Сверхбыстрая коммутация в нелинейных фотоэлектрических ключах из арсенида галлия, легированного глубокой акцепторной примесью хрома
01.09.2020 — 01.09.2022
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Руководитель
Перезарядка глубоких уровней в условиях электронной инжекции и лавинного пробоя в сверхбыстрых переключателях на основе арсенида галлия
20.02.2020 — 31.12.2022
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Руководитель
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.
09.01.2019 — 20.03.2019
Роль в проекте Исполнитель
Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии
19.03.2018 — 31.12.2020
Название программы Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)
Роль в проекте Исполнитель
GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения
14.04.2017 — 31.12.2017
Название программы Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)
Роль в проекте Исполнитель
Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов
01.01.2017 — 31.12.2019
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Исполнитель
Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом
16.02.2016 — 31.12.2022
Роль в проекте Исполнитель
Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади
01.01.2015 — 31.12.2016
Название программы Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)
Роль в проекте Исполнитель
Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники
01.01.2014 — 31.12.2014
Название программы Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)
Роль в проекте Исполнитель
Разработка физико-технологических основ создания оптических гетероструктур, полупроводниковых наноразмерных пленок и объемных структур оксидов и халькогенидов галлия, и исследование процессов преобразования частоты, фотогальванических и электрооптических эффектов при взаимодействии с излучением оптического и терагерцового диапазонов
17.07.2014 — 31.12.2016
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Исполнитель
Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров
01.01.2014 — 31.12.2015
Название программы Грант Президента РФ
Роль в проекте Исполнитель
Радиационно-стойкие светодиоды AlGaInP с множественными квантовыми ямами
28.06.2013 — 01.11.2013
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Роль в проекте Исполнитель
Разработка и исследование элементов световыводящей оптики, созданных на стадии эпитаксиального роста светодиодных гетероструктур
01.07.2013 — 02.11.2013
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Роль в проекте Исполнитель
Применение терагерцовой эмиссионной спектроскопии для исследования электрофизических свойств многослойных гетероструктур на основе AlGaN/InGaN/GaN
01.01.2013 — 31.12.2015
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Исполнитель
Многоэлементный приемник излучения, работающий в широком спектральном диапазоне (ближний ИК, видимый, УФ) и позволяющий производить электронную обработку получаемого изображения
14.03.2013 — 10.09.2013
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Роль в проекте Исполнитель
Исследование механизмов протекания тока в светодиодах на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN
10.09.2012 — 31.12.2013
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Руководитель
Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров
01.02.2012 — 30.11.2013
Название программы Грант Президента РФ
Роль в проекте Исполнитель
Разработка и исследование полупроводниковых структур для субнаносекундных переключателей
22.09.2010 — 03.12.2012
Название программы Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы
Роль в проекте Ответственный исполнитель по проекту, Руководитель
Создание и исследование сложных полупроводниковых структур для целей сенсорики и оптоэлектроники
01.01.2012 — 31.12.2013
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Исполнитель
Квантоворазмерные многослойные эпитаксиальные структуры GaN(AlGaN)/InGaN/GaN для излучателей оптического диапазона
01.01.2012 — 31.12.2013
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Исполнитель