Брудный Валентин Натанович

Участие в научных проектах
Общее число записей - 15
Лицензионный договор о предоставлении права использования результата интеллектуальной деятельности "Микросхема для проведения DEC тестов при производстве InAlN/GaN HEMT"
25.12.2019 — 25.12.2024
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
Лицензионный договор о предоставлении исключительного права на использование изобретения "Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом" Лицензионный договор о предоставлении исключительного права на использование изобретения "Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках"
25.12.2019 — 25.12.2024
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
Лицензионный договор о предоставлении права использования результатов интеллектуальной деятельности - изобретение «Способ изготовления мощного нитрид-галлиевого полевого транзистора» патент № 2668635, дата государственной регистрации 02 октября 2018г.
04.02.2019 — 04.02.2024
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
Лицензионный договор о предоставлении права использования результатов интеллектуальной деятельности - секрет производства (ноу-хау) "Способ изготовления низкоомных омических контактов для нитрида галлия на основе композиции Ti/Al/Mo/Au"
25.12.2019 — 25.12.2024
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
Лицензионный договор о предоставлении права использования результатов интеллектуальной деятельности - топологии интегральной микросхемы: 1. «Микросхема для проведения РСМ тестов при производстве InAlN/GaN НЕМТ» свидетельство о государственной регистрации № 2018630124 дата государственной регистрации 06 августа 2018г.; 2. «Микросхема для проведения TCV тестов при производстве InAlN/GaN НЕМТ» свидетельство о государственной регистрации № 2018630123 дата государственной регистрации 06 августа 2018г.
28.02.2019 — 28.02.2024
Роль в проекте Руководитель
Софинансирование проекта по соглашению № 14.578.21.0240 по теме: "Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения"
26.09.2017 — 31.12.2019
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения
26.09.2017 — 30.06.2020
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»
Роль в проекте Руководитель
ЗАДАНИЕ на выполнение работы 'Организация проведения научных исследований' № 3.7660.2017/ВУ
01.01.2017 — 31.12.2019
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Руководитель
Исследование электронных свойств нанопроволок InGaN с использованием методов расчетов из первых принципов
01.01.2014 — 31.12.2014
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Руководитель
Квантово-размерная светодиодная гетероструктура InGaN/GaN/Al2O3 видимого диапазона длин волн со ступенчато-варизонными барьерными слоями и с короткопериодными сверхрешетками
17.07.2014 — 31.12.2016
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Руководитель
Организация проведения научных исследований
29.01.2014 — 31.12.2016
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Руководитель
Радиационно-стойкие светодиоды AlGaInP с множественными квантовыми ямами
28.06.2013 — 01.11.2013
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Роль в проекте Руководитель
Разработка и исследование элементов световыводящей оптики, созданных на стадии эпитаксиального роста светодиодных гетероструктур
01.07.2013 — 02.11.2013
Название программы ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»
Роль в проекте Ответственный исполнитель по проекту
Теоретическое и экспериментальное исследование механизмов оптического поглощения и эффекта оптического просветления в слоистых кристаллах нелинейной оптики
01.01.2010 — 31.12.2012
Название программы Грант РФФИ
Роль в проекте Ответственный исполнитель по проекту
Квантоворазмерные многослойные эпитаксиальные структуры GaN(AlGaN)/InGaN/GaN для излучателей оптического диапазона
01.01.2012 — 31.12.2013
Название программы Госзадание Минобрнауки России
Роль в проекте Руководитель, Ответственный исполнитель по проекту