Хамматова Эльвина Георгиевна
Участие в научных проектах

25.06.2020 — 10.09.2020
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Исполнитель
30.03.2020 — 30.09.2020
Исследование фоточувствительности нанослоев GaTe

Исполнитель
22.05.2020 — 30.06.2020
Изготовление и поставка генераторов для коммутации высокого напряжения

Исполнитель
28.01.2020 — 30.06.2020
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Исполнитель
09.01.2019 — 20.03.2019
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Исполнитель
18.12.2018 — 01.06.2019
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.

Исполнитель
19.03.2018 — 31.12.2020
Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии

Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)

Исполнитель
14.04.2017 — 31.12.2017
GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения

Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)

Исполнитель
16.02.2016 — 31.12.2020
Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Исполнитель
16.02.2016 — 31.12.2020
Лицензионный договор. Способ изготовления пиксельных сенсоров рентгеновского излучения на основе 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом

Исполнитель
17.09.2014 — 31.12.2016
Разработка арсенид галлиевых сенсоров для матричных рентгеновских детекторов, использующихся в цифровой маммографии и макромолекулярной кристаллографии

ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы»

Исполнитель
01.01.2014 — 31.12.2014
Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники

Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100)

Исполнитель
17.07.2014 — 31.12.2016
Квантово-размерная светодиодная гетероструктура InGaN/GaN/Al2O3 видимого диапазона длин волн со ступенчато-варизонными барьерными слоями и с короткопериодными сверхрешетками

Госзадание Минобрнауки России

Исполнитель
01.01.2012 — 31.12.2013
Создание и исследование сложных полупроводниковых структур для целей сенсорики и оптоэлектроники

Госзадание Минобрнауки России

Исполнитель