ТГУ.Сотрудники
Тяжев Антон Владимирович
Участие в научных проектах
Общее число записей - 42
Разработка, изготовление и поставка наукоемкой продукции "Микросборки GaAS-1*640-0.15"
20.02.2026 — 20.12.2026
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка и изготовление экспериментального образца мультиплексора для гибридного пиксельного детектора рентгеновского излучения
24.10.2025 — 31.12.2026
| Роль в проекте | Руководитель |
Моделирование выходного сигнала многоэлементных HR GaAs:Cr сенсоров при воздействии единичных рентгеновских квантов с энергией в диапазоне 10-100 кэВ и разработка электронного комплекта фотошаблонов
30.07.2025 — 31.12.2025
| Роль в проекте | Руководитель |
Разработка комплексного подхода для исследования структуры и состава полимерных композитов с использованием поглощенного и рассеянного рентгеновского излучения
20.06.2025 — 31.12.2026
| Название программы | Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Разработка макетного образца детекторного модуля на основе многоэлементных арсенид галлиевых (HR GaAs:Cr) сенсоров и специализированной электроники
15.05.2025 — 31.12.2026
| Название программы | Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Физико-технические основы базовых технологий создания цифровых детекторов мультиспектральной квантовой радиографии на основе монокристаллов Si, SiC, CdTe, CdZnTe, GaAs, Ga2O3, Al2O3 для решения широкого круга материаловедческих задач с использованием источников синхротронного излучения и создания систем научного, медицинского и промышленного приборостроения
01.01.2025 — 31.12.2027
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Подготовка аналитического обзора литературы по техническим характеристикам многоэлементных сенсоров, специализированных интегральных микросхем и счетным детекторам рентгеновского излучения, разработке и согласованию с потенциальными потребителями программы и методики испытаний счетных детекторов рентгеновского излучения
23.10.2024 — 29.11.2024
| Роль в проекте | Руководитель |
Разработка технологии компенсации проводимости структур арсенида галлия примесью хрома, шифр "Хром"
15.02.2024 — 31.01.2026
| Название программы | Государственная программа "Развитие промышленности и повышение ее конкурентоспособности" |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка наукоемкой продукции "Сенсоры ионизирующего излучения на основе синтетического корунда"
03.11.2023 — 31.12.2023
| Роль в проекте | Руководитель |
Поставка наукоемкой продукции "Пластины высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом"
09.11.2023 — 31.12.2023
| Роль в проекте | Руководитель |
Наукоемкая продукция в виде Микрополосковых сенсоров
16.08.2023 — 16.10.2023
| Роль в проекте | Руководитель |
Изготовление и поставка наукоемкой продукции в виде Адаптера шага микрополоскового
07.06.2023 — 07.08.2023
| Роль в проекте | Руководитель |
Изготовление установки контроля дефектности полупроводниковых пластин для входного контроля дефектов полупроводниковых пластин, используемых в технологическом процессе выращивания эпитаксиальных GaAs p+-pin-n+ структур из жидкой фазы диаметром 76 мм для силовых диодов», шифр «Рубин-А1.2-3
08.06.2023 — 30.12.2023
| Роль в проекте | Исполнитель |
Поставка пластины высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом
23.03.2023 — 04.05.2023
| Роль в проекте | Исполнитель |
Научно-технические основы создания на базе полупроводниковых HR-GaAs:Cr структур мультиспектральных детекторов ионизирующего излучения
07.11.2022 — 31.12.2024
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка фундаментальных основ физики и технологии радиационностойких полупроводниковых структур и создание на их основе многоэлементных детекторов для обеспечения исследований и исследовательской инфраструктуры синхротронного центра 4+ поколения «СКИФ» и других “мегасайенс” проектов в Российской Федерации
01.07.2022 — 31.12.2024
| Название программы | Грант Правительства РФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Развитие инновационных технологий радиационно-стойких многоэлементных сенсоров на основе широкозонных полупроводников для регистрации высокоэнергетичных квантов и заряженных частиц
29.03.2022 — 31.12.2023
| Название программы | Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030» |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), пластин GaAs: Cr толщиной 500 мкм, диаметром 76 мм.
23.11.2021 — 27.01.2026
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка, изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.
08.04.2021 — 01.07.2021
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка, изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокристаллического арсенида галлия, компенсированного хромом.
06.04.2021 — 29.03.2022
| Роль в проекте | Исполнитель |
Проведение лабораторных исследований спектров поглощения модельных сред
21.12.2020 — 31.01.2022
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка пластин монокристаллического арсенида галлия, компенсированного хромом, с двухсторонней полировкой
03.08.2020 — 02.10.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.
25.06.2020 — 10.09.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка матричных сенсоров с шагом пикселей 130 мкм, на основе GaAs:Cr с толщиной 1000 мкм
18.05.2020 — 28.08.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.
28.01.2020 — 30.06.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Поставка пластин высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом
12.12.2019 — 29.02.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Лицензионный договор о предоставлении права использования ноу-хау "Технологический регламент изготовления HR-GaAs:Cr структур диаметром 100 мм"
20.03.2019 — 20.03.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка матричных сенсоров (детекторов), изготовленных путем нанесения металлических контактов с обеих сторон пластин монокрнсталлического арсенида галлия, компенсированного хромом.
09.01.2019 — 20.03.2019
| Роль в проекте | Исполнитель |
Изготовление и поставка пластин монокристаллического арсенида галлия, компенсированного хромом, с двухсторонней полировкой
21.06.2019 — 30.09.2019
| Роль в проекте | Исполнитель |
Арсенид галлиевые матричные сенсоры для просвечивающей электронной микроскопии
19.03.2018 — 31.12.2020
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Комптоновская рентгеновская микроскопия биологических объектов
01.01.2018 — 31.12.2020
| Название программы | Грант РНФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
GaAs:Cr сенсоры для визуализации спектроскопических изображений при высоких интенсивностях рентгеновского излучения
14.04.2017 — 31.12.2017
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Лицензионный договор. Способ изготовления 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом
16.02.2016 — 31.12.2022
| Роль в проекте | Исполнитель |
Лицензионный договор. Способ изготовления пиксельных сенсоров рентгеновского излучения на основе 76 мм пластин высокоомного арсенида галлия (GaAs), компенсированного хромом
16.02.2016 — 31.12.2020
| Роль в проекте | Исполнитель |
Исследование процессов модификации свойств арсенида галлия примесными нанокластерами и разработка технологии полуизолирующих структур большой площади
01.01.2015 — 31.12.2016
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Разработка арсенид галлиевых сенсоров для матричных рентгеновских детекторов, использующихся в цифровой маммографии и макромолекулярной кристаллографии
17.09.2014 — 31.12.2016
| Название программы | ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Формирование эффективной научно-образовательно-инновационной инфраструктуры повышения международной конкурентоспособности ТГУ среди ведущих мировых научно-образовательных центров в области полупроводникового материаловедения, функциональной и квантово-чувствительной сенсорной наноэлектроники
01.01.2014 — 31.12.2014
| Название программы | Государственная поддержка ведущих университетов Российской Федерации в целях повышения их конкурентной способности среди ведущих мировых научно-образовательных центров (5-100) |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Разработка физико-технологических основ создания оптических гетероструктур, полупроводниковых наноразмерных пленок и объемных структур оксидов и халькогенидов галлия, и исследование процессов преобразования частоты, фотогальванических и электрооптических эффектов при взаимодействии с излучением оптического и терагерцового диапазонов
17.07.2014 — 31.12.2016
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров
01.01.2014 — 31.12.2015
| Название программы | Грант Президента РФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Многоэлементный приемник излучения, работающий в широком спектральном диапазоне (ближний ИК, видимый, УФ) и позволяющий производить электронную обработку получаемого изображения
14.03.2013 — 10.09.2013
| Название программы | ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы» |
| Роль в проекте | Ответственный исполнитель по проекту |
Исследование физических процессов в молекулярных и атомных системах, создание на их основе органических оптических материалов, нелинейных кристаллов, фоточувствительных структур и лазеров
01.02.2012 — 30.11.2013
| Название программы | Грант Президента РФ |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Создание и исследование сложных полупроводниковых структур для целей сенсорики и оптоэлектроники
01.01.2012 — 31.12.2013
| Название программы | Госзадание Минобрнауки России |
| Роль в проекте | Исполнитель |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность