Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel J. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Тезисы |
Год | 2021 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
Библиографическая запись | Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность