Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Марин Д. В. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Курбанов К. Р. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2020
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), деканат радиофизического факультета (РФФ)
Библиографическая запись Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1004‒1008. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9241974
Направление науки
УДК