Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel J. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Fitsych O. I. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2020
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), деканат радиофизического факультета (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V, Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 460. 1 CD-ROM.
Направление науки
УДК