Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM

Авторы автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel Y. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2019
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.
Направление науки
УДК