The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air
Авторы | автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Тарасенко В. Ф. (Сотрудник другой организации), автор Рипенко В. С. (Сотрудник другой организации), автор Шулепов М. А. (Сотрудник другой организации), автор Ерофеев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Тезисы |
Год | 2019 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
Библиографическая запись | The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Lozovoy K.A. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 150. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность