ТГУ.Сотрудники
Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing
| Авторы | автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2019 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность