Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition

Авторы автор Ляпунов Д. В. (Студент), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2016
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись D.V. Lyapunov, A.G. Korotaev, D.V. Grigoryev. Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 231-232.
Направление науки
УДК