ТГУ.Сотрудники
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
| Авторы | автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Пищагин А. А. (Сотрудник, Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Никифоров А. И. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2015 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Korotaev A. G., Pishchagin A. A., Kokhanenko A. P., Nikiforov A. I. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность