Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe
Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Тезисы |
Год | 2014 |
Язык | русский |
Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность