ТГУ.Сотрудники
Effect of Dopants on Laser-Induced Damage Threshold of ZnGeP2
| Авторы | автор Юдин Н. Н. (Сотрудник), автор Baalbaki H. (Сотрудник другой организации), автор Лысенко А. Б. (Сотрудник), автор Подзывалов С. Н. (Сотрудник, Студент), автор Кузнецов В. С. (Сотрудник другой организации), автор Зиновьев М. М. (Сотрудник), автор Калыгина В. М. (Сотрудник), автор Воеводин В. И. (Сотрудник), автор Кальсин А. Ю. (Сотрудник), автор Слюнько Е. С. (Студент), автор Шаймерденова Л. К. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2023 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" |
| Библиографическая запись | Effect of Dopants on Laser-Induced Damage Threshold of ZnGeP2 / N.N. Yudin, M.M. Zinoviev, E.S. Slyunko, S.N. Podzyvalov [et al] // Crystals. 2023. Vol. 13, № 3. Art. num. 440. DOI: 10.3390/cryst13030440 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность