Фотодиоды на основе структур Ga2O3/N-GaAs, способные работать в автономном режиме

Авторы автор Петрова Ю. С. (Сотрудник), автор Калыгина В. М. (Сотрудник), автор Цымбалов А. В. (Сотрудник), автор Киселева О. С. (Студент), автор Олейник В. Л. (Сотрудник), автор Кушнарёв Б. О. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2022
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись Фотодиоды на основе структур Ga2O3/N-GaAs, способные работать в автономном режиме / Калыгина В.М., Киселева О.С., Кушнарёв Б.О., Олейник В.Л. [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928‒932. DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868
Направление науки
УДК