Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления

Авторы	автор Таллер Е. В. (Студент), автор Петрова Ю. С. (Студент), автор Калыгина В. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год	2019
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	Таллер Е.В., Петрова Ю.С., Калыгина В.М. Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 259-263.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность