Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs
Авторы | автор Калыгина В. М. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Ремизова И. Л. (Студент), автор Толбанов О. П. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2017 |
Язык | русский |
Отдел | Радиофизический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ) |
Библиографическая запись | В.М. Калыгина, И.А. Прудаев, И.Л. Ремизова, О.П. Толбанов. Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 236-240. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность