Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth

Авторы	автор Sambonsuge S. (Сотрудник другой организации), автор Никитина Л. Н. (Сотрудник), автор Эрвье Ю. Ю. (Сотрудник), автор Suemitsu M. (Сотрудник другой организации), автор Филимонов С. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2014
Язык	английский
Отдел	Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись	Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth / Sambonsuge S., Nikitina L.N., Hervieu Yu.Yu., Suemitsu M. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 12. P. 1439‒1444. DOI: 10.1007/s11182-014-0197-7
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность