Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth
Авторы | автор Sambonsuge S. (Сотрудник другой организации), автор Никитина Л. Н. (Сотрудник), автор Эрвье Ю. Ю. (Сотрудник), автор Suemitsu M. (Сотрудник другой организации), автор Филимонов С. Н. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2014 |
Язык | английский |
Отдел | Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ) |
Библиографическая запись | Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth / Sambonsuge S., Nikitina L.N., Hervieu Yu.Yu., Suemitsu M. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 56, № 12. P. 1439‒1444. DOI: 10.1007/s11182-014-0197-7 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность