Synthesis and Bridgman Growth of Ga2S3 Crystals

Авторы	автор Кох К. А. (Сотрудник), автор Лапин И. Н. (Сотрудник), автор Светличный В. А. (Сотрудник), автор Галиева П. (Сотрудник другой организации), автор Бакхадур А. (Сотрудник другой организации), автор Андреев Ю. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2016
Язык	английский
Отдел	Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. новых материалов и перспективных технологий (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Kox K.A., Lapin I.N., Svetlichnyi V.A., Galieva Perizat, Bakkhadur Askar, Andreev Y.M. Synthesis and Bridgman Growth of Ga2S3 Crystals //Key Engineering Materials. 2016. Vol. 683. P. 71-76.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность