lmpact of fs and ns pulses on indium and sutfur doped gallium selenide crystals
Авторы | автор Feng Z. S. (Сотрудник другой организации), автор Kang Z. H. (Сотрудник другой организации), автор Li X. M. (Сотрудник другой организации), автор Wang Z. (Сотрудник другой организации), автор Gao J. Y. (Сотрудник другой организации), автор Андреев Ю. М. (Сотрудник), автор Атучин В. В. (Сотрудник другой организации), автор Кох К. А. (Сотрудник), автор Ланский Г. В. (Сотрудник), автор Потекаев А. И. (Сотрудник), автор Шайдуко А. В. (Сотрудник), автор Светличный В. А. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2014 |
Язык | английский |
Отдел | Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. новых материалов и перспективных технологий (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Feng Z.-S., Kang Z.H., Li X-M, Wang Zeng-Bin, Gao J.-Y., Andreev Yu.M., Atuchin V.V., Kokh K. A., Lanskii G.V., Potekaev A.I., Shajduko A.V., Svetlichny'j V.A. lmpact of fs and ns pulses on indium and sutfur doped gallium selenide crystals //AIP Advances. 2014. Vol. 4, № 3. P. 037104-1-037104-6. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность