Modification of the Spectral Absorption Characteristics of ZnGeP2 in the THz and IR Wavelength Ranges Due to Diffusion Doping with Impurity Atoms of Mg, Se, Sn, and Pb

Авторы автор Зиновьев М. М. (Сотрудник), автор Баалбаки Х. А. (Аспирант), автор Габдрахманов А. Ш. (Сотрудник), автор Подзывалов С. Н. (Сотрудник), автор Кузнецов В. С. (Сотрудник), автор Слюнько Е. С. (Сотрудник), автор Лысенко А. Б. (Сотрудник), автор Кулеш М. М. (Студент), автор Кальсин А. Ю. (Аспирант), автор Воеводин В. И. (Сотрудник), автор Дёмин В. В. (Сотрудник), автор Юдин Н. Н. (Сотрудник), автор Власов Д. В. (Студент)
Тип Статья в журнале
Год 2024
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научная лаборатория терагерцовых исследований (НУ), лаборатория радиофизических и оптических методов изучения окружающей среды (РФФ), лаборатория детекторов синхротронного излучения (ЦИР ПТМ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ), научно-образовательный центр "Оптические и фотонные технологии" (НУ)
Библиографическая запись Modification of the Spectral Absorption Characteristics of ZnGeP2 in the THz and IR Wavelength Ranges Due to Diffusion Doping with Impurity Atoms of Mg, Se, Sn, and Pb / N.N. Yudin, V.V. Dyomin, S.N. Podzyvalov, A.B. Lysenko [et al] // Crystals. 2024. Vol. 14, № 10. Art. num. 867. DOI: 10.3390/cryst14100867
Направление науки
УДК