β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer

Авторы	автор Верхолетов М. Г. (Сотрудник), автор Яковлев Н. Н. (Сотрудник), автор Алмаев А. В. (Сотрудник), автор Кушнарёв Б. О. (Сотрудник), автор Зиновьев М. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2024
Язык	английский
Отдел	Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer / N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, M.G. Verkholetov [et al] // Crystals. 2024. Vol. 14, № 2. Art. num. 123. DOI: 10.3390/cryst14020123
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность