ТГУ.Сотрудники
Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
| Авторы | автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Вилисова М. Д. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Хлудков С. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник) |
| Тип | Монография |
| Год | 2024 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), лаб. физики полупроводниковых наноструктур (ЛФПН) (ОСП "СФТИ ТГУ"), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" |
| Библиографическая запись | Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers / S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev [et al]. Tomsk: TSU Press, 2024. 252 p. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность