Methods of Charge-Carrier Mobility Measurements in Structures Based on High-Resistivity Gallium Arsenide with Deep Centers

Авторы	автор Шаймерденова Л. К. (Сотрудник), автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Скакунов М. С. (Сотрудник), автор Зарубин А. Н. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Щербаков И. Д. (Сотрудник), автор Шемерянкина А. В. (Сотрудник), автор Трофимов М. С. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2023
Язык	английский
Отдел	Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись	Methods of Charge-Carrier Mobility Measurements in Structures Based on High-Resistivity Gallium Arsenide with Deep Centers / I.D. Chsherbakov, L.K. Shaimerdenova, A.V. Shemeryankina, M.S. Skakunov [et al] // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 66, № 6. P. 626‒631. DOI: 10.1007/s11182-023-02985-2
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность