Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Авторы | автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник), автор Хлудков С. С. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2023 |
Язык | русский |
Отдел | Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Радиофизический факультет, Физический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), каф. физики полупроводников (ФФ) |
Библиографическая запись | Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56‒66. DOI: 10.17223/00213411/66/1/56 |
Направление науки | |
УДК | 621.382.2 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность