Characterisation of the HEXITECX4S X-ray spectroscopic imaging detector incorporating through-silicon via (TSV) technology

Авторы автор Veale M. C. (Сотрудник другой организации), автор Лозинская А. Д. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Колесникова И. И. (Сотрудник), автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Щербаков И. Д. (Сотрудник), автор Зарубин А. Н. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2022
Язык английский
Отдел Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись Characterisation of the HEXITECX4S X-ray spectroscopic imaging detector incorporating through-silicon via (TSV) technology / Chsherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Novikov V.A. [et al] // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2022. Vol. 1025. Art. num. 166083. DOI: 10.1016/j.nima.2021.166083
Направление науки
УДК