Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs

Авторы	автор Хлудков С. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Физический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), каф. физики полупроводников (ФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись	Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
Направление науки
УДК	621.315.592

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность