Radiation hardness of GaAs: Cr and Si sensors irradiated by electron beam

Авторы	автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Зарубин А. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2020
Язык	английский
Отдел	Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике», Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике»
Библиографическая запись	Tyazhev A.V., Tolbanov O. P., Zarubin A. N., and 17 more. Radiation hardness of GaAs: Cr and Si sensors irradiated by electron beam //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2020. Vol. 975. P. 164204.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность