The Measurement of Charge Carrier Lifetime in SIGaAs: Cr and EL2-GaAs by Pump-Probe Terahertz Spectroscopy

Авторы	автор Колесникова И. И. (Сотрудник), автор Кобцев Д. А. (Аспирант), автор Редькин Р. А. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Тяжев А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2020
Язык	английский
Отдел	Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике», Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике»
Библиографическая запись	The Measurement of Charge Carrier Lifetime in SIGaAs: Cr and EL2-GaAs by Pump-Probe Terahertz Spectroscopy / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Sarkisov S. Yu. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 8. P. 547‒553. DOI: 10.1007/s11182-020-02068-6
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность