Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy

Авторы автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Воеводин В. И. (Сотрудник, Студент), автор Su X. (Аспирант другой организации - Beijing Jiaotong University), автор Саркисов Ю. С. (Сотрудник другой организации), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2023
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy / V.I. Voevodin, V.N. Brudnyi, S.Yu. Sarkisov, Y.S. Sarkisov [et al] // Photonics. 2023. Vol. 10, № 7. Art. num. 827. DOI: 10.3390/photonics10070827
Направление науки
УДК