Features of Radiation Changes in Electrical Properties of InAlN/GaN Hemts

Авторы автор Афонин А. Г. (Сотрудник другой организации), автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Брудный П. А. (Сотрудник), автор Великовский Л. Э. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык английский
Отдел Научное управление, Физический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись Afonin A.G., Brudnyi V.N., Brudnyi P.A., Velikovskii L.E. Features of Radiation Changes in Electrical Properties of InAlN/GaN Hemts // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656‒1662. DOI: 10.1007/s11182-020-01888-w
Направление науки
УДК