Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860980 C

Авторы	автор Романов И. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Брудный В. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2018
Язык	русский
Отдел	Физический факультет, Радиофизический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860980 C // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164‒166.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность