Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860980 C
Авторы | автор Романов И. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Брудный В. Н. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2018 |
Язык | русский |
Отдел | Физический факультет, Радиофизический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ) |
Библиографическая запись | Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860980 C // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164‒166. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность