BN, AIN, GaN, InN: Charge neutrality level, surface, interfaces, doping

Авторы	автор Брудный В. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2017
Язык	русский
Отдел	Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись	V.N. Brudnyi. BN, AIN, GaN, InN: Charge neutrality level, surface, interfaces, doping // Russian Physics Journal. 2017. Т. 59, № 12. С. 2186‒2190. DOI: 10.1007/s11182-017-1035-5
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность