Diffusion of Magnesium in Led Structures with InGaN/GaN Quantum Wells at True Growth Temperatures 860-980оC of p-GaN

Авторы	автор Романов И. С. (Сотрудник), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Брудный В. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2018
Язык	английский
Отдел	Физический факультет, Радиофизический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	Romanov I.S., Prudaev I.A., Brudnyi V.N. Diffusion of Magnesium in Led Structures with InGaN/GaN Quantum Wells at True Growth Temperatures 860-980оC of p-GaN // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 1. P. 187‒190. DOI: 10.1007/s11182-018-1383-9
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность