ТГУ.Сотрудники
Electronic properties of SiC polytypes: Charge neutrality level and interfacial barrier heights
| Авторы | автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Кособуцкий А. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2017 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Физический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. физики полупроводников (ФФ) |
| Библиографическая запись | Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V. Electronic properties of SiC polytypes: Charge neutrality level and interfacial barrier heights //Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. P. 499-505. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность