Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Авторы	автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Копьев В. В. (Сотрудник), автор Романов И. С. (Сотрудник), автор Брудный В. Н. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2015
Язык	английский
Отдел	Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись	I. A. Prudaev, V.V. Kopyev, Romanov Ivan Sergeevich, Brudnyi V.N. Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641‒645.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность