Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Авторы	автор Романов И. С. (Сотрудник, Студент), автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Копьев В. В. (Сотрудник, Студент), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Мармалюк А. А. (Сотрудник другой организации), автор Курешов В. А. (Сотрудник другой организации), автор Сабитов Д. Р. (Сотрудник), автор Мазалов А. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2015
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н., Копьев В.В., Новиков В.А., Мармалюк А.А., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мазалов А.В. Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113.
Направление науки
УДК	621.382.2

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность